存贮芯片
存贮芯片
复旦微电子EEPROM, 2k-256k,电压低至1.7V,SOP/DIP/TSSOP封装
BJSI SDRAM, 1*16,4*16,8*16,国际大厂代工
ATMEL EEPROM, SPI Flash(AT45,AT26系列)
可提供SPANSION Flash
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BJ56L28164 8M*16 SDRAM
The BJ56L28164 is 134,217,728 bits synchronous high data rate
dynamic RAM organized as 4 x 2,097,152 words by 16 bits.
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BJ56L64164 4M*16 SDRAM
The BJ56L64164 is 67,108,864 bits synchronous high data rate
Dynamic RAM organized as 4 x 1,048,576 words by 16 bits.
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BJ56L16162 1M*16 SDRAM
512K x 16 Bit x 2 Banks Synchronous DRAM (SDRAM)
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FM24C32A/64A两线制串行EEPROM
The FM24C32A/64A provides 32,768/65,536 bits of serial electrically erasable and programmable read-only memory (EEPROM) organized as 4096/8192 words of 8 bits each.
The device’s cascadable feature a
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FM24C02B/04B/08B/16B两线制串行EEPROM
FM24C02B/FM24C04B/FM24C08B/FM24C16B 是低工作电压的2048/4096/8192/16384 位串行电可擦除只读存储器，内部组织为256/512/1024/2048 个字节，每个字节 8 位，该芯片被广泛应用于低电压及低功耗的工商业领域。
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FM24C128A/256A两线制串行EEPROM
FM24C128A/256A 是 131,072/262,144T位的串行电可擦除只读存储器，内部组织为 16384/32768 个字节，每个字节 8 位，该器件可串联的特点能实现八个器件共用一个两线制总线寻址。FM24C128A/256A 芯片被广泛应用于低电压
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FM24C02/04/08(A)/16两线制串行EEPROM
FM24C02/FM24C04/FM24C08(A)/FM24C16是2048/4096/8192/16384比特的串行电可擦除及可编程只读存储器，内部分为256/512/1024/2048个字节，每个字节8个比特，该芯片广泛应用于低电压及低功耗的工商业领域。
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